选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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ZETEXTO-92 |
500 |
08PB |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司11年
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ZETEXTO-92SE-Line |
15000 |
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ZTX541图片
ZTX541中文资料Alldatasheet PDF
更多ZTX541功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel
ZTX541DA功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP
ZTX541DB功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP
ZTX541DC功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | CHIP
ZTX541STOA功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX541STOB功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
ZTX541STZ功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-PNP
- 性质:
数码驱动 (Nix)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
0.1A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BF397,BFW43,2N3497,2N3930,3CG180E,
- 最大耗散功率:
0.5W
- 放大倍数:
- 图片代号:
A-31
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
.1
- wtest:
.5