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YG868C12R	文件：56.61 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Schottky barrier diode Features LowVF HighVoltage Centertapconnection Applications Highfrequencyoperation DC-DCconverters ACadapter	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
YG868C12R	文件：268.74 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES ·MultilayerMetal-SiliconPotentialStructure. ·LowLeakageCurrent. ·HighCurrentCapability,HighEfficiency. ·HighJunctionTemperatureCapability.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MS868C12	文件：625.82 Kbytes Page：5 Pages	LowIRSchottkyBarrierDiode Features •LowIR •LowVF •Centertapconnection Applications •Highfrequencyoperation •DC-DCconverters •ACadapter	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
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详细参数

型号：
YG868C12R
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
High Voltage Schottky barrier diode

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