YG858C12R中文资料PDF规格书
YG858C12R规格书详情
FEATURES
·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.
·Low Leakage Current.
·High Current Capability, High Efficiency.
·High Junction Temperature Capability.
产品属性
- 型号:
YG858C12R
- 制造商:
FUJI
- 制造商全称:
Fuji Electric
- 功能描述:
Schottky Barrier Diode
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI/富士电机 |
23+ |
NA/ |
3270 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
FUJI |
2020+ |
TO-220F |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
FUJITSU/富士通 |
24+ |
TO220F |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
FUJITSU/富士通 |
23+ |
TO-220F |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
FUJI |
TO-220F |
396379 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
FUJITSU-富士通 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
FUJI/富士电机 |
23+ |
TO-220F |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
询价 | ||
富士通FUJITS |
23+ |
TO-TO-220F |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
FUJI |
22+ |
TO-220F |
8900 |
英瑞芯只做原装正品!!! |
询价 | ||
富士通FUJITSU |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 |