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YG858C12R中文资料PDF规格书

YG858C12R
厂商型号

YG858C12R

功能描述

Schottky Barrier Rectifier

文件大小

268.04 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二原厂数据手册到原厂下载

更新时间

2024-6-10 22:59:00

YG858C12R规格书详情

FEATURES

·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.

·Low Leakage Current.

·High Current Capability, High Efficiency.

·High Junction Temperature Capability.

产品属性

  • 型号:

    YG858C12R

  • 制造商:

    FUJI

  • 制造商全称:

    Fuji Electric

  • 功能描述:

    Schottky Barrier Diode

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJI/富士电机
23+
NA/
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