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X28HC256DMB-12	文件：286.89 Kbytes Page：15 Pages	5 Volt, Byte Alterable EEPROM 5V,ByteAlterableEEPROM TheX28HC256isasecondgenerationhighperformanceCMOS32kx8EEPROM.ItisfabricatedwithIntersil’sproprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providingahighlyreliable5Vonlynonvolatilememory Features •Accesstime:70ns •Simplebyteandpa	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
X28HC256DMB-12	文件：110.67 Kbytes Page：24 Pages	5 Volt, Byte Alterable E2PROM DESCRIPTION TheX28HC256isasecondgenerationhighperformanceCMOS32Kx8E2PROM.ItisfabricatedwithXicor’sproprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providingahighlyreliable5Voltonlynonvolatilememory. FEATURES •AccessTime:70ns •SimpleByteandPageWrite —Si	Xicor XICOR	Xicor
X28HC256DMB-15	文件：286.89 Kbytes Page：15 Pages	5 Volt, Byte Alterable EEPROM 5V,ByteAlterableEEPROM TheX28HC256isasecondgenerationhighperformanceCMOS32kx8EEPROM.ItisfabricatedwithIntersil’sproprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providingahighlyreliable5Vonlynonvolatilememory Features •Accesstime:70ns •Simplebyteandpa	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
X28HC256DMB-15	文件：110.67 Kbytes Page：24 Pages	5 Volt, Byte Alterable E2PROM DESCRIPTION TheX28HC256isasecondgenerationhighperformanceCMOS32Kx8E2PROM.ItisfabricatedwithXicor’sproprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providingahighlyreliable5Voltonlynonvolatilememory. FEATURES •AccessTime:70ns •SimpleByteandPageWrite —Si	Xicor XICOR	Xicor
X28HC256DMB-15	文件：977.81 Kbytes Page：21 Pages	LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM TheX28HC256isasecondgenerationhighperformanceCMOS32kx8EEPROM.ItisfabricatedwithIntersil’sproprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providingahighlyreliable5Vonlynonvolatilememory.TheX28HC256supportsa128-bytepagewriteoperation,effectivelyprovidinga24µ	ROCHESTER Rochester Electronics	ROCHESTER
X28HC256DMB-70	文件：110.67 Kbytes Page：24 Pages	5 Volt, Byte Alterable E2PROM DESCRIPTION TheX28HC256isasecondgenerationhighperformanceCMOS32Kx8E2PROM.ItisfabricatedwithXicor’sproprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providingahighlyreliable5Voltonlynonvolatilememory. FEATURES •AccessTime:70ns •SimpleByteandPageWrite —Si	Xicor XICOR	Xicor
X28HC256DMB-90	文件：110.67 Kbytes Page：24 Pages	5 Volt, Byte Alterable E2PROM DESCRIPTION TheX28HC256isasecondgenerationhighperformanceCMOS32Kx8E2PROM.ItisfabricatedwithXicor’sproprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providingahighlyreliable5Voltonlynonvolatilememory. FEATURES •AccessTime:70ns •SimpleByteandPageWrite —Si	Xicor XICOR	Xicor
X28HC256DMB-90	文件：977.81 Kbytes Page：21 Pages	LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM TheX28HC256isasecondgenerationhighperformanceCMOS32kx8EEPROM.ItisfabricatedwithIntersil’sproprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providingahighlyreliable5Vonlynonvolatilememory.TheX28HC256supportsa128-bytepagewriteoperation,effectivelyprovidinga24µ	ROCHESTER Rochester Electronics	ROCHESTER
X28HC256DMB-12	文件：410.17 Kbytes Page：20 Pages	5V, Byte Alterable EEPROM	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
X28HC256DMB-15	文件：410.17 Kbytes Page：20 Pages	5V, Byte Alterable EEPROM	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
X28HC256DMB-90	文件：410.17 Kbytes Page：20 Pages	5V, Byte Alterable EEPROM	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
AT28HC256	文件：728.35 Kbytes Page：12 Pages	25632Kx8HighSpeedCMOSE2PROM	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28HC256	文件：445.53 Kbytes Page：12 Pages	25632Kx8HighSpeedParallelEEPROMs Description TheAT28HC256isahigh-performanceelectricallyerasableandprogrammablereadonlymemory.Its256Kofmemoryisorganizedas32,768wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,theAT28HC256offersaccesstimesto70nswithpowerdissipationof	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28HC256E	文件：445.53 Kbytes Page：12 Pages	25632Kx8HighSpeedParallelEEPROMs Description TheAT28HC256isahigh-performanceelectricallyerasableandprogrammablereadonlymemory.Its256Kofmemoryisorganizedas32,768wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,theAT28HC256offersaccesstimesto70nswithpowerdissipationof	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28HC256E	文件：728.35 Kbytes Page：12 Pages	25632Kx8HighSpeedCMOSE2PROM	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28HC256F	文件：445.53 Kbytes Page：12 Pages	25632Kx8HighSpeedParallelEEPROMs Description TheAT28HC256isahigh-performanceelectricallyerasableandprogrammablereadonlymemory.Its256Kofmemoryisorganizedas32,768wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,theAT28HC256offersaccesstimesto70nswithpowerdissipationof	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28HC256F	文件：728.35 Kbytes Page：12 Pages	25632Kx8HighSpeedCMOSE2PROM	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28HC256N	文件：230.23 Kbytes Page：13 Pages	256(32Kx8)High-speedParallelEEPROM Description TheAT28HC256Nisahigh-performanceelectricallyerasableandprogrammablereadonlymemory.Its256Kofmemoryisorganizedas32,768wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,theAT28HC256Noffersaccesstimesto90nswithpowerdissipationo	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
FT28HC256	文件：2.12346 Mbytes Page：23 Pages	5Volt,ByteAlterableEEPROM	FORCE Force Technologies Ltd	FORCE
MYXX28HC256	文件：1.29571 Mbytes Page：23 Pages	NoExternalHighVoltagesorVPP	MICROSS MICROSS	MICROSS

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详细参数

型号：
X28HC256DMB
制造商：
Intersil Corporation

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