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WNSC201200WQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-2 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SILICON CARBIDE POWER DIODE	WeEn SemiconductorsWeEn Semiconductors Co., Ltd 瑞能瑞能半导体	WeEn Semiconductors
CDBGBSC201200-G	文件：75.74 Kbytes Page：2 Pages	DualSiliconCarbidePowerSchottkyDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
EV201200	文件：188.15 Kbytes Page：2 Pages	T-20WATERFILTERFORCLOUDINESS,CYSTSANDPRECIPITATEDHEAT	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
T201200	文件：65.57 Kbytes Page：1 Pages	ALLDIMENSIONSINMM[INCH]	E-SWITCH E-Switch, Inc.	E-SWITCH
WNSC201200CW	文件：428.78 Kbytes Page：11 Pages	SiliconCarbideDiode	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
WNSC201200W	文件：453.31 Kbytes Page：11 Pages	SiliconCarbideDiode	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN

产品属性

产品编号：
WNSC201200WQ
制造商：
WeEn Semiconductors
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
1.02nF @ 1V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-2
供应商器件封装：
TO-247-2
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
SILICON CARBIDE POWER DIODE

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