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FMB3904	文件：99.48 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB3904	文件：77.9 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitch. Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.SourcedfromProcess23.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBT3904	文件：36.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR 200mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BV40VMin.@I=1mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. •Capable	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT3904	文件：529.2 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistorCollector-EmitterVoltageVCEO NPNGeneralPurposeTransistor	FCI Amphenol ICC	FCI
FMBT3904W	文件：884.34 Kbytes Page：11 Pages	SMDNPNTransistor 200mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BVCEO=40V@IC=1mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. •Capable	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
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GL3904	文件：190.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTO Description TheGL3904isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V ComplementarytoGL3906	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
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更多WMBT3904供应商更新时间2024-6-12 10:14:00

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