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2N90	文件：186.37 Kbytes Page：6 Pages	2Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N90	文件：68.03 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=2A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N90	文件：203.7 Kbytes Page：6 Pages	2A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N90G-TND-R	文件：271.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N90L-TND-R	文件：271.07 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2N90Z	文件：230.14 Kbytes Page：6 Pages	2A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
FIR2N90BLG	文件：3.35229 Mbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR2N90BPG	文件：3.35229 Mbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FIR2N90FG	文件：2.07305 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FQB2N90	文件：759.72 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET Features •2.2A,900V,RDS(on)=7.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical12nC) •LowCrss(typical5.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB2N90	文件：765.33 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQB2N90TM	文件：765.33 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2N90	文件：750.31 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2N90	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET900V,1.7A,7.2廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2N90	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2N90	文件：305.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQD2N90TF	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET900V,1.7A,7.2廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD2N90TM	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI2N90	文件：759.72 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET Features •2.2A,900V,RDS(on)=7.2Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical12nC) •LowCrss(typical5.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI2N90	文件：765.33 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	WGU2N90	WG国产	23+	TO-251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	WGU2N90	WG国产	22+	TO-251	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
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深圳市维尔达电子有限公司	WGU50N06S	WG/威谷微	2023+	TO251	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
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更多WGU2N90供应商更新时间2024-4-29 16:11:00

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