选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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WINBONDTFBGA60 |
108000 |
21+ |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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深圳硅原半导体有限公司7年
留言
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WINBOND/华邦FBGA |
28942 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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WINBOND(华邦)TFBGA60(8x13) |
5000 |
23+ |
诚信服务,绝对原装原盘 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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WINBOND(华邦)TFBGA60(8x13) |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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WINBOND60-BGA |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Winbond Electronics60-TFBGA |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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WINBOND(华邦)TFBGA-60(8x13) |
315000 |
2117+ |
209个/托盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
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万三科技(深圳)有限公司4年
留言
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华邦NA |
500000 |
22+ |
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万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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Winbond Electronics60-TFBGA(8x13) |
56200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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WinbondElectronics60-TFBGA(13x8) |
26580 |
19+ |
存储IC一手货源,极具优势! |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Winbond Electronics24-TBGA |
5280 |
21+ |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司11年
留言
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-NA |
50105 |
2020+ |
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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Winbond Electronics60-TFBGA |
1500 |
21+ |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Winbond Electronics60-TFBGA |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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WINBONDBGA-60 |
209 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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WINBOND(华邦)TFBGA-60(8x13) |
3575 |
1921+ |
向鸿仓库现货,优势绝对的原装! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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WINBOND60-BGA |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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讯运(深圳/上海)电子有限公司10年
留言
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WINBOND(华邦)TFBGA-60(8x13) |
499 |
2021+ |
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万三科技(深圳)有限公司4年
留言
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华邦NA |
500000 |
22+ |
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万三科技,秉承原装,购芯无忧 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司3年
留言
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Winbond Electronicsn/a |
5000 |
22+ |
原装正品订货,请确认 |
W9425G6JB-5I采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
W9425G6JB-5I图片
W9425G6JB-5ITR中文资料Alldatasheet PDF
更多W9425G6JB-5I制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY
W9425G6JB-5I TR制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR SDRAM X16, 200MHZ, IN
产品属性
- 产品编号:
W9425G6JB-5I
- 制造商:
Winbond Electronics
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR
- 存储容量:
256Mb(16M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
60-TFBGA
- 供应商器件封装:
60-TFBGA(8x13)
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA