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W631GG6KB-12	文件：3.6109 Mbytes Page：158 Pages	Double Data Rate architecture: two data transfers per clock cycle GENERALDESCRIPTION TheW631GG6KBisa1GbitsDDR3SDRAM,organizedas8,388,608wordsx8banksx16bits.Thisdeviceachieveshighspeedtransferratesupto1866Mb/sec/pin(DDR3-1866)forvariousapplications.W631GG6KBissortedintothefollowingspeedgrades:-11,-12,12I,12A,12K-1	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W631GG6KB-12	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：96-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W631GG6KB-12 TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：96-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond

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W631GG6KB-12

文件：3.6109 Mbytes

Page：158 Pages

Double Data Rate architecture: two data transfers per clock cycle

GENERALDESCRIPTION TheW631GG6KBisa1GbitsDDR3SDRAM,organizedas8,388,608wordsx8banksx16bits.Thisdeviceachieveshighspeedtransferratesupto1866Mb/sec/pin(DDR3-1866)forvariousapplications.W631GG6KBissortedintothefollowingspeedgrades:-11,-12,12I,12A,12K-1

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W631GG6KB-12 TR

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包装：托盘封装/外壳：96-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA

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华邦电子华邦电子股份有限公司

Winbond

产品属性

产品编号：
W631GG6KB-12
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR3
存储容量：
1Gb（64M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
1.425V ~ 1.575V
工作温度：
0°C ~ 85°C（TC）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
96-TFBGA
供应商器件封装：
96-WBGA（9x13）
描述：
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA

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