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3009	文件：133.89 Kbytes Page：1 Pages	RectangularTrimpot짰TrimmingPotentiometer	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
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3009A	文件：1.05773 Mbytes Page：22 Pages	300VPower-LimitedTrayCables??Overview	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
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ABB3009	文件：90.06 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedTranslatorBuffertoLVDS	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABB3009QC	文件：90.06 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedTranslatorBuffertoLVDS	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
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AN3009	文件：552.26 Kbytes Page：36 Pages	HowtodesignatransitionmodePFCpre-regulatorusingtheL6564	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AN3009	文件：37.08 Kbytes Page：2 Pages	S-ParameterS2PFileFormat	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
AP3009	文件：225.26 Kbytes Page：13 Pages	WHITELEDSTEP-UPCONVERTER GeneralDescription TheAP3009isaninductor-basedDC/DCconverterdesignedtodriveuptosixwhiteLEDsinseriesforbacklight.OnlyonefeedbackresistorisneededtocontroltheLEDcurrentandobtainsatisfiedbrightness. Features •InherentlyUniformLEDCurrent •HighEfficiency:	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP3009	文件：175.49 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAP3009AMPLIFIER 20TO3000MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER TypicalValuesAP3009 HighOuputPower.................................+27.5dBm UltraBroadBandwidth.............................20-3000MHz HighThirdOrderI.P.....	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
APM3009N	文件：716.55 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/70A,RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=11mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseAdvancedCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-220,TO-252andTO-263Packages	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM3009NFC-TR	文件：716.55 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/70A,RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=11mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseAdvancedCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-220,TO-252andTO-263Packages	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
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APM3009NGC-TR	文件：716.55 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/70A,RDS(ON)=7mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=11mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseAdvancedCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •TO-220,TO-252andTO-263Packages	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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