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W29EE011	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
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W29EE01115B	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
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W29EE01190B	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W29EE011P	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W29EE011P-15	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W29EE011P15B	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W29EE011P-90	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W29EE011P90B	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W29EE011T-15	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W29EE011T15B	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W29EE011T-90	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W29EE011T90B	文件：183.23 Kbytes Page：20 Pages	128K X 8 CMOS FLASH MEMORY GENERALDESCRIPTION TheW29EE011isa1-megabit,5-voltonlyCMOSflashmemoryorganizedas128K×8bits.Thedevicecanbeprogrammedanderasedin-systemwithastandard5Vpowersupply.A12-voltVPPisnotrequired.TheuniquecellarchitectureoftheW29EE011resultsinfastprogram/eraseo	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond
W29EE011P90Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：32-LCC（J 形引线）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC	WinbondWinbond Electronics 华邦电子华邦电子股份有限公司	Winbond

详细参数

型号：
W29EE011
制造商：
WINBOND
制造商全称：
Winbond
功能描述：
128K X 8 CMOS FLASH MEMORY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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