W25Q128JWFIQ技术资料参数行情报价第2页-114ic电子网

首页 >W25Q128JWFIQ>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
P25Q128H	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-IR	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-IT	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-IW	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-IY	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-KR	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-KT	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-KW	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-SUH-KY	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-IR	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-IT	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-IW	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-IY	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-KR	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-KT	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-KW	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-TBH-KY	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-WFH-IR	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-WFH-IT	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA
P25Q128H-WFH-IW	文件：3.10131 Mbytes Page：104 Pages	UltraLowPower,128M-bitSerialMultiI/OFlashMemoryDatasheet 2Description The P25Q128HisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,wi	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)有限公司	PUYA

<<<123 4 5 6 >>>

产品属性

产品编号：
W25Q128JWFIQ
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
SpiFlash®
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
128Mb（16M x 8）
存储器接口：
SPI - 四 I/O
写周期时间 - 字，页：
3ms
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.95V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC FLASH 128MBIT SPI 16SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	W25Q128JWFIQ	WINBOND	22+	SOP16	60000	华邦全系列原装正品现货	询价
深圳市恒意法电子有限公司	W25Q128JWFIQ	Winbond Electronics	21+	16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)	12000	正规渠道/品质保证/原装正品现货	询价
万三科技(深圳)有限公司	W25Q128JWFIQ	华邦	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
亚泰电子科技有限公司	W25Q128JWFIQ	WINBOND	22+	SMD	2000		询价
深圳市纳睿斯电子科技有限公司	W25Q128JWFIQ	WINBOND			20000	原装现货,可追溯原厂渠道	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	W25Q128JWFIQ	WINBOND	22+	SMD	518000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市朱博士电子科技有限公司	W25Q128JWFIQ	WINBOND(华邦)	2335	Original	50000	只做原装优势现货库存,渠道可追溯	询价
深圳市惊羽科技有限公司	W25Q128JWFIQ	WINBOND	24+25+/26+27+	SOIC-16	9328	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	W25Q128JWFIQ	Winbond Electronics	24+	16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)	9350	独立分销商,公司只做原装，诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳市铭威达电子科技有限公司	W25Q128JWFIQ				1766	原装现货	询价

更多W25Q128JWFIQ供应商更新时间2024-5-31 10:50:00

产品属性

相关规格书

相关库存