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VT4060C-E3_V01	文件：133.51 Kbytes Page：5 Pages	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusei	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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更多VT4060C-E3_V01供应商更新时间2024-6-19 11:03:00

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