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VSMY2853G	文件：210.12 Kbytes Page：8 Pages	High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology DESCRIPTION AspartoftheSurfLightTMportfolio,theVSMY2853series areinfrared,850nmemittingdiodesbasedonGaAlAs surfaceemitterchiptechnologywithextremehighradiant intensities,highopticalpowerandhighspeed,moldedin clear,untintedplasticpackages(withlens)forsurfa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VSMY2853G	文件：210.83 Kbytes Page：8 Pages	High Speed Infrared Emitting Diodes, 850 nm, Surface Emitter Technology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSMY2853G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：2-SMD，鸥翼类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 850NM 100MA SMD	Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
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VSMY2853GX01	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：2-SMD，鸥翼类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 850NM 100MA SMD	Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
2853	文件：49.83 Kbytes Page：2 Pages	10.75MHzbandpassfilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2853	文件：102.78 Kbytes Page：1 Pages	ShortyBushings	HeycoHeyco. 海科海科(Heyco)	Heyco
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UC2853	文件：401.16 Kbytes Page：10 Pages	HighPowerFactorPreregulator	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1

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产品属性

产品编号：
VSMY2853G
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
20mW/sr @ 100mA
波长：
850nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.65V
视角：
56°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
2-SMD，鸥翼
描述：
EMITTER IR 850NM 100MA SMD

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