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VS231242	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：连接器，互连器件圆形连接器组件描述：CVBS 01A 22-22P F4	Radiall USA, Inc. Radiall USA, Inc.	Radiall USA, Inc.
VS231259	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：连接器，互连器件圆形连接器组件描述：CVBS 02R 20-27P CR F7	Radiall USA, Inc. Radiall USA, Inc.	Radiall USA, Inc.
VS231264	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：连接器，互连器件圆形连接器组件描述：CVBS 02R 22-14S CR F7	Radiall USA, Inc. Radiall USA, Inc.	Radiall USA, Inc.
2312	文件：16.47 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2312	文件：81.15 Kbytes Page：1 Pages	Pneumaticmuffler	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司	FESTO
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2312T	文件：761.47 Kbytes Page：2 Pages	PhotoelectronicSmokedetectorwithElectronicHeatSensing	SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas. Systemsensor advanced ideas.	SYSTEMSENSOR
AM2312	文件：464.65 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET20VN-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2312isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES VDS=20V RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@5.0A=41mΩ RDS(ON),VGS@2.5V,IDS@4.5A=47mΩ Advancedtrenchprocesstechnology HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance Capableof2.5Vgatedrive Loweron-resistanc	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2312N	文件：317.05 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2312GN	文件：68.94 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM2312	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •16V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=1.8V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2312A	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •16V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=1.8V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2312AC-TR	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •16V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=1.8V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
BC2312	文件：600.09 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION DC/DCConverters LoadSwitchingforPortableApplications	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BLM2312	文件：520.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
CES2312	文件：281.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=33mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET

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产品属性

产品编号：
VS231259
制造商：
Radiall USA, Inc.
类别：
连接器，互连器件 > 圆形连接器组件
系列：
CVBS
包装：
散装
连接器类型：
插座，公形引脚
针位数：
14
外壳尺寸 - 插件：
20-27
安装类型：
面板安装
安装特性：
法兰
端接：
压接
紧固类型：
反向插销锁
主要材料：
金属
外壳材料：
铝合金
外壳表面处理：
环氧树脂聚氨酯清漆
触头表面处理 - 配接：
银
颜色：
黑色
材料可燃性等级：
UL94 V-0
特性：
底壳
屏蔽：
无屏蔽
额定电流（安培）：
13A
额定电压：
500VAC，700VDC
工作温度：
-55°C ~ 200°C
描述：
CVBS 02R 20-27P CR F7

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更多VS2312供应商更新时间2024-4-30 17:38:00

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