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VS-40MT120PHAPBF	文件：196.78 Kbytes Page：10 Pages	?쏦alf Bridge??MTP Trench IGBT, 75 A FEATURES •Trenchgatefieldstoptechnology •PositiveVCE(on)temperaturecoefficient •5μsshortcircuitcapability •SquareRBSOA •HEXFRED®antiparalleldiodeswithultrasoftreverse recoveryandlowVF •Al2O3DBC •Verylowstrayinductancedesignforhighspeedoperation •ULapp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-40MT120PHAPBF	文件：196.09 Kbytes Page：10 Pages	“Half Bridge” MTP Trench IGBT, 75 A FEATURES •Trenchgatefieldstoptechnology •PositiveVCE(on)temperaturecoefficient •5μsshortcircuitcapability •SquareRBSOA •HEXFRED®antiparalleldiodeswithultrasoftreverse recoveryandlowVF •Al2O3DBC •Verylowstrayinductancedesignforhighspeedoperation •ULapp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-40MT120PHAPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：12-MTP 模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：MTP - HALF BRIDGE IGBT	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VS-40MT120PHAPBF_V01	文件：196.09 Kbytes Page：10 Pages	“Half Bridge” MTP Trench IGBT, 75 A FEATURES •Trenchgatefieldstoptechnology •PositiveVCE(on)temperaturecoefficient •5μsshortcircuitcapability •SquareRBSOA •HEXFRED®antiparalleldiodeswithultrasoftreverse recoveryandlowVF •Al2O3DBC •Verylowstrayinductancedesignforhighspeedoperation •ULapp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
40MT120UH	文件：678.12 Kbytes Page：13 Pages	HALF-BRIDGEIGBTMTPUltraFastNPTIGBT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
40MT120UHA	文件：283.63 Kbytes Page：13 Pages	UltraFastNPTIGBT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
40MT120UHAPBF	文件：330.86 Kbytes Page：12 Pages	HalfBridgeIGBTMTP(UltrafastNPTIGBT),80A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
40MT120UHAPBF	文件：329.16 Kbytes Page：12 Pages	HalfBridgeIGBTMTP(UltrafastNPTIGBT),80A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VS-40MT120UHAPBF	文件：287.99 Kbytes Page：13 Pages	IGBTMTP	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
VS-40MT120PHAPBF
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
托盘
IGBT 类型：
沟槽型场截止
配置：
半桥
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.65V @ 15V，40A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
无
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
12-MTP 模块
供应商器件封装：
12-MTP
描述：
MTP - HALF BRIDGE IGBT

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