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VS-2EFH01-M3/I	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-219AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-2EFH01-M3	文件：154.32 Kbytes Page：6 Pages	HyperfastRectifier,2AFREDPt짰 FEATURES •Hyperfastrecoverytime,reducedQrr,andsoft recovery •175°Cmaximumoperatingjunctiontemperature •Specifiedforoutputandsnubberoperation •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •MeetsJESD201c	VishayVishay Siliconix 威世科技

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VS-2EFH01-M3/I

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：DO-219AB 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-2EFH01-M3

文件：113.34 Kbytes

Page：6 Pages

HyperfastRectifier,2AFREDPt

VishayVishay Siliconix

威世科技

VS-2EFH01-M3

文件：154.32 Kbytes

Page：6 Pages

HyperfastRectifier,2AFREDPt짰

FEATURES •Hyperfastrecoverytime,reducedQrr,andsoft recovery •175°Cmaximumoperatingjunctiontemperature •Specifiedforoutputandsnubberoperation •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •MeetsJESD201c

VishayVishay Siliconix

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产品属性

产品编号：
VS-2EFH01-M3/I
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
FRED Pt®
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
2A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-219AB
供应商器件封装：
DO-219AB（SMF）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB

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更多VS-2EFH01-M3/I供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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