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VS-25F10M	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：DO-203AA，DO-4，接线柱类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
25F10	文件：80.21 Kbytes Page：6 Pages	STANDARDRECOVERYDIODES STANDARDRECOVERYDIODES Features Highsurgecurrentcapability Avalanchetypesavailable Studcathodeandstudanodeversion Widecurrentrange Typesupto1200VVRRM TypicalApplications Batterycharges Converters Powersupplies Machinetoolcontrols	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
25F10	文件：136.61 Kbytes Page：6 Pages	StandardRecoveryDiodes(StudVersion),25A StandardRecoveryDiodes(StudVersion),25A FEATURES •Highsurgecurrentcapability •Studcathodeandstudanodeversion •Widecurrentrange •Typesupto1200VVRRM •RoHScompliant TYPICALAPPLICATIONS •Batterycharges •Converters •Powersupplies •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
25F10	文件：112.35 Kbytes Page：2 Pages	StandardRecoveryDiodes(StudVersion)	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
25F10M	文件：155.16 Kbytes Page：7 Pages	StandardRecoveryDiodes(StudVersion),25A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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A25F10	文件：80.21 Kbytes Page：6 Pages	STANDARDRECOVERYDIODES STANDARDRECOVERYDIODES Features Highsurgecurrentcapability Avalanchetypesavailable Studcathodeandstudanodeversion Widecurrentrange Typesupto1200VVRRM TypicalApplications Batterycharges Converters Powersupplies Machinetoolcontrols	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
A25F10M	文件：80.21 Kbytes Page：6 Pages	STANDARDRECOVERYDIODES STANDARDRECOVERYDIODES Features Highsurgecurrentcapability Avalanchetypesavailable Studcathodeandstudanodeversion Widecurrentrange Typesupto1200VVRRM TypicalApplications Batterycharges Converters Powersupplies Machinetoolcontrols	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
EN25F10	文件：425.66 Kbytes Page：31 Pages	1MegabitSerialFlashMemorywith4KbytesUniformSector GENERALDESCRIPTION TheEN25F10isa1M-bit(128K-byte)SerialFlashmemory,withadvancedwriteprotectionmechanisms,accessedbyahighspeedSPI-compatiblebus.Thememorycanbeprogrammed1to256bytesatatime,usingthePagePrograminstruction.TheEN25F10isdesignedtoalloweither	EON Eon Silicon Solution Inc.	EON
EN25F10	文件：1.2635 Mbytes Page：32 Pages	1MegabitSerialFlashMemorywith4KbytesUniformSector	EON Eon Silicon Solution Inc.	EON
EN25F10A	文件：1.08643 Mbytes Page：62 Pages	1MegabitSerialFlashMemorywith4KbyteUniformSector GENERALDESCRIPTION TheEN25F10Aisa1Megabit(128K-byte)SerialFlashmemory,withenhancedwriteprotectionmechanisms.TheEN25F10AsupportsthestandardSerialPeripheralInterface(SPI),andahighperformanceDual/QuadoutputaswellasDual/QuadI/OusingSPIpins:SerialClock,Chip	EON Eon Silicon Solution Inc.	EON
EVD25F10ZES	文件：383.06 Kbytes Page：3 Pages	MILITARYQUALITYREMOVABLECONTACT,SUBMINIATURE-DCONNECTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
VS-25F10	文件：162.5 Kbytes Page：6 Pages	StandardRecoveryDiodes,StandardRecoveryDiodes, FEATURES •Highsurgecurrentcapability •Studcathodeandstudanodeversion •Widecurrentrange •Typesupto1200VVRRM •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS •Batterycharges •Converters •Powersupplie	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
VS-25F10M
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
25A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AA（DO-4）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 100V 25A DO203AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VS-25F10M供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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