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VRF3933分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

VRF3933
厂商型号

VRF3933

参数属性

VRF3933 封装/外壳为M177;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:MOSF RF N CH 250V 20A M177

功能描述

RF POWER VERTICAL MOSFET
MOSF RF N CH 250V 20A M177

文件大小

740.31 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

Microsemi美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 18:26:00

VRF3933规格书详情

RF POWER VERTICAL MOSFET

The VRF3933 is a gold-metallized silicon n-channel RF power transistor designed for broadband commercial and military applications requiring high power and gain without compromising reliability, ruggedness, or inter-modulation distortion.

FEATURES

• Improved Ruggedness V(BR)DSS = 250V

• 300W with 22dB Typ. Gain @ 30MHz, 100V

• Excellent Stability & Low IMD

• Common Source Configuration

• Available in Matched Pairs

• 3:1 Load VSWR Capability at Specified Operating Conditions

• Nitride Passivated

• Refractory Gold Metallization

• Improved Replacement for SD3933

• Thermally Enhanced Package

• RoHS Compliant

VRF3933属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。美高森美公司制造生产的VRF3933晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    VRF3933

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    N 通道

  • 频率:

    30MHz

  • 增益:

    22dB

  • 额定电流(安培):

    20A

  • 功率 - 输出:

    300W

  • 封装/外壳:

    M177

  • 供应商器件封装:

    M177

  • 描述:

    MOSF RF N CH 250V 20A M177

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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