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VNP35NV04-E集成电路(IC)配电开关负载驱动器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
VNP35NV04-E |
参数属性 | VNP35NV04-E 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB |
功能描述 | OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET |
文件大小 |
561.42 Kbytes |
页面数量 |
27 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-22 16:36:00 |
VNP35NV04-E规格书详情
Description
The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics® VIPower® M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.
Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
Features
• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
• Compatible with standard Power MOSFET
产品属性
- 产品编号:
VNP35NV04-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器
- 系列:
OMNIFET II™, VIPower™
- 包装:
管件
- 开关类型:
通用
- 输出数:
1
- 比率 - 输入:
1:1
- 输出配置:
低端
- 输出类型:
N 通道
- 接口:
开/关
- 电压 - 负载:
36V(最大)
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):
不需要
- 电流 - 输出(最大值):
30A
- 导通电阻(典型值):
13 毫欧(最大)
- 输入类型:
非反相
- 故障保护:
限流(固定),超温,过压
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 供应商器件封装:
TO-220
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 描述:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
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