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VNP35NV04-E集成电路(IC)配电开关负载驱动器规格书PDF中文资料

VNP35NV04-E
厂商型号

VNP35NV04-E

参数属性

VNP35NV04-E 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB

功能描述

OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB

文件大小

561.42 Kbytes

页面数量

27

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 16:36:00

VNP35NV04-E规格书详情

Description

The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics® VIPower® M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.

Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

Features

• Linear current limitation

• Thermal shutdown

• Short circuit protection

• Integrated clamp

• Low current drawn from input pin

• Diagnostic feedback through input pin

• ESD protection

• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)

• Compatible with standard Power MOSFET

产品属性

  • 产品编号:

    VNP35NV04-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 系列:

    OMNIFET II™, VIPower™

  • 包装:

    管件

  • 开关类型:

    通用

  • 输出数:

    1

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    低端

  • 输出类型:

    N 通道

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 负载:

    36V(最大)

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    30A

  • 导通电阻(典型值):

    13 毫欧(最大)

  • 输入类型:

    非反相

  • 故障保护:

    限流(固定),超温,过压

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

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