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DAN2222E	文件：301.6 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHINGDIODE SWITCHINGDIODE DESCRIPTION EpitaxialplanarSilicondiode FEATURES: Highspeed.(trr=1.5nsTyp.) Suitableforhighpackingdensitylayout Highreliability. APPLICATION Ultrahighspeedswitching Forportableequipment:(i.e.Mobilephone,MP3,MD,CD-ROM,DVD-ROM,Noteb	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
DMBT2222	文件：228.5 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
DMBT2222A	文件：228.14 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
DXT2222A	文件：238.77 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speed,medium-powerswitchingapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
DXT2222A	文件：242.96 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>40V •IC=600mAHighCollectorCurrent •ComplementaryPNPType:DXT2907A •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifiedto	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DZT2222A	文件：242.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DZT2907A) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ECQB2222MF	文件：133.27 Kbytes Page：6 Pages	PlasticFilmCapacitors	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
ECQ-M2222KZ	文件：61.11 Kbytes Page：4 Pages	PolyesterFilmCapacitor	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
ENA2222	文件：325.47 Kbytes Page：15 Pages	5:1MicroUSBSwitch	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFB2222A	文件：61.84 Kbytes Page：5 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB2222A	文件：88.62 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB2222AD	文件：412.71 Kbytes Page：7 Pages	DualGeneralPurposeSwitchingTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FJX2222A	文件：237.38 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •General-PurposeTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FJX2222A	文件：71.23 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •GeneralPurposeTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •CollectorDissipation:PC(max)=325mW	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX2222ATF	文件：237.38 Kbytes Page：7 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •General-PurposeTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FMB2222A	文件：61.84 Kbytes Page：5 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB2222A	文件：88.62 Kbytes Page：7 Pages	NPNMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBT2222	文件：601.37 Kbytes Page：9 Pages	600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor 600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=40V@IC=10mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlow staurationvoltage,isdesignedforgeneralpurpose amflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurren	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT2222A	文件：434.78 Kbytes Page：9 Pages	SMDNPNTransistor 600mASiliconNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage. (BVCEO=40V@IC=10mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlow staurationvoltage,isdesignedforgeneralpurpose amflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurren	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT2222A	文件：715.37 Kbytes Page：3 Pages	FMBT2222ANPNBipolarTransistorEpitaxialplanardieconstruction FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction •ComplementaryPNPTypeavailable(FMMBT2907A) MARKING:1P MAXIMUMRATINGS*TA=25℃unlessotherwisenoted	FCI Amphenol ICC	FCI

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详细参数

型号：
VN2222LLG
功能描述：
MOSFET 60V 150mA N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	VN2222LLG	ONS			28000		询价
深圳市深创辉科技有限公司	VN2222LLG	ON	11+		5785	原装正品长期供货，如假包赔包换徐小姐13714450367	询价
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司	VN2222LLG	ON	2020+	TO-92	350000	100%进口原装正品公司现货库存	询价
深圳市振宏微科技有限公司	VN2222LLG	ON	23+	原厂封装	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
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更多VN2222LLG供应商更新时间2024-5-17 16:00:00

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