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VN2110K1	文件：457.83 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc
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VP2110K1-G	文件：761.51 Kbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司

详细参数

型号：
VN2110K1
功能描述：
MOSFET 100V 4Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多VN2110K1供应商更新时间2024-4-28 15:09:00

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