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VI20150SG	文件：142.42 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per JESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SG	文件：167.43 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SG	文件：158.99 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SG	文件：149.4 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SG	文件：126.24 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SG	文件：131.76 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SG-E3	文件：157.86 Kbytes Page：6 Pages	High efficiency operation FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SG-E3	文件：217.05 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SG-E3/4W	文件：167.43 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.57VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECand	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SG-E3/4W	文件：163.51 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SGHM3-4W	文件：131.76 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SG-M3-4W	文件：131.76 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VI20150SG-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VI20150SGHM3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VI20150SG-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
20150FCT	文件：528.26 Kbytes Page：2 Pages	20ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS PRODUCTFEATURES 1.FLAMMABILITYCLASSIFICATION94V-0 2.EXTREMELYLOWVF 3.LOWSTOREDCHARGE 4.MAJORITYCARRIERCONDUCTION 5.LOWPOWERLOSS/HIGHEFFICIENCY 6.CASE:TRANSFERMOLDEDTO-220ABFORMBR20xxxCTITO-220ABFORMBR20xxxFCT 7.DIMENSIONSININCHESAND(MILLIMETERS) 8.LEADS:SOL	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
AL20150	文件：240.25 Kbytes Page：4 Pages	INDUSTRIALMICROWAVEGENERATORS2450MHZ	MKS MKS Instruments.	MKS
B20150G	文件：778.85 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereSurfaceMountDualCommonCathodeSchottkyBarrierRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
CBD20150VCT	文件：62.01 Kbytes Page：3 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBD20150VFCT	文件：72.78 Kbytes Page：4 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
VI20150SG
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 5 A

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