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VFT1060C	文件：79.08 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT1060C	文件：127.74 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT1060C_V01	文件：127.74 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT1060C-E3	文件：156.9 Kbytes Page：6 Pages	Trench MOS Schottky technology FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,an	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT1060C-E3	文件：202.1 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT1060C-M3-4W	文件：79.08 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT1060C_15	文件：79.67 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT1060C-E3/4W	文件：173.74 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
VFT1060C-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 10A 60V ITO-220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VFT1060C-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 10A 60V ITO-220AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1060	文件：426.16 Kbytes Page：3 Pages	IECApplianceInletC14withFuseholder1-pole	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团	SCHURTER
1060	文件：457.83 Kbytes Page：4 Pages	IECApplianceInletC14withFuseholder1-pole	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团	SCHURTER
1060A	文件：203.06 Kbytes Page：2 Pages	Inst,24Pr#2022StrBC,PVCInsE1,OS,BlkPVCJkt,300VPLTCITCCMG ProductDescription ULInstrumentation,24Pair20+22AWG(7x28)BareCopper,PVCInsulationE1ColorCode,OverallBeldfoil®Shield,BlackPVCOuterJacket,PLTCITC CMGAWM2464SUNRES	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
1060A	文件：1.05773 Mbytes Page：22 Pages	300VPower-LimitedTrayCables??Overview	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
1060-H-ABCN-D-EGO	文件：426.16 Kbytes Page：3 Pages	IECApplianceInletC14withFuseholder1-pole	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团	SCHURTER
AC1060	文件：62.66 Kbytes Page：1 Pages	60AmpCurrentTransformer LowCost50/60HzCurrentTransformers •Competitivepricingduetohighvolumeproduction •ManufacturedinanISO-9001:2000,TS-16949:2002andISO-14001:2004certifiedTalemafacility •FullyRoHScompliant Applications •SensingOverloadCurrent •Groundfaultdetection	TALEMA Talema Group LLC	TALEMA
ACE1060B	文件：899.48 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ADM1060	文件：303.81 Kbytes Page：45 Pages	CommunicationsSystemSupervisory/SequencingCircuit GENERALDESCRIPTION TheADM1060isaprogrammablesupervisory/sequencingdevicethatoffersasinglechipsolutionformultiplepowersupplyfaultdetectionandsequencingincommunicationssystems. FEATURES Faultsdetectedon7independentsupplies 1highvoltagesupply(2Vto14.4V)	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADM1060ARU	文件：303.81 Kbytes Page：45 Pages	CommunicationsSystemSupervisory/SequencingCircuit GENERALDESCRIPTION TheADM1060isaprogrammablesupervisory/sequencingdevicethatoffersasinglechipsolutionformultiplepowersupplyfaultdetectionandsequencingincommunicationssystems. FEATURES Faultsdetectedon7independentsupplies 1highvoltagesupply(2Vto14.4V)	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AN1060	文件：204.9 Kbytes Page：11 Pages	FLYBACKCONVERTERSWITHTHEL6561PFC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
VFT1060C
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市富安睿科技有限公司	VFT1060C	VISHAY	21+	TO-220F	6000	绝对原裝现货	询价
上海市鑫鸿达电子	VFT1060C	VISHAY/威世	2022+		50	全新原装货期两周	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	VFT1060C	VISHAY/威世	21+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	VFT1060C	VISHAY/威世	23+	TO-220F	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市威雅利发展有限公司	VFT1060C	VISHAY/威世	11+	TO-220F	9000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市德创芯微科技有限公司	VFT1060C	VISHAY/威世	11+	TO-220F	9000	全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	VFT1060C	VISHAY/威世	23+	NA/	12250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价

更多VFT1060C供应商更新时间2024-5-30 10:14:00

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