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VBT2080S-M3_V01	文件：105.6 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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制造商&上传企业

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VBT2080S-M3_V01

文件：105.6 Kbytes

Page：4 Pages

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

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深圳市吉利鑫科技发展有限公司	VBT2-S12-S5-SMT	CUI	2022+	SIP	191		询价

更多VBT2080S-M3_V01供应商更新时间2024-5-29 14:50:00

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