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VBI165R01	文件：1.6493 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB165R01	文件：1.61304 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •AvailableinTapeandReel •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE165R01	文件：884.52 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamic dV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSupply •PowerFactorCorre	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBFB165R01	文件：884.52 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamic dV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSupply •PowerFactorCorre	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM165R01	文件：485.83 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamic dV/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent APPLICATIONS •SwitchModePowerSupply(SMPS) •UninterruptiblePowerSupply •PowerFactorCorre	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBR165R01	文件：1.6493 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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更多VBI165R01供应商更新时间2024-6-8 15:00:00

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