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VBFB16R02	文件：1.72714 Mbytes Page：12 Pages	Power MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFRC20,SiHFRC20) •StraightLead(IRFUC20,SiHFUC20) •AvailableinTapeandReel •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective200	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBFB16R02	文件：1.62042 Mbytes Page：12 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBFB16R02S	文件：1.1204 Mbytes Page：12 Pages	N-Channel 600V(D-S) Super Junction Power MOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE16R02	文件：1.62042 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE16R02	文件：1.72714 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFRC20,SiHFRC20) •StraightLead(IRFUC20,SiHFUC20) •AvailableinTapeandReel •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective200	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE16R02S	文件：1.1204 Mbytes Page：12 Pages	N-Channel600V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM16R02	文件：1.62042 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM16R02	文件：1.72714 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFRC20,SiHFRC20) •StraightLead(IRFUC20,SiHFUC20) •AvailableinTapeandReel •FastSwitching •EaseofParalleling •ComplianttoRoHSDirective200	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM16R02S	文件：1.1204 Mbytes Page：12 Pages	N-Channel600V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBMB16R02	文件：1.62042 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VBMB16R02S	文件：1.1204 Mbytes Page：12 Pages	N-Channel600V(D-S)SuperJunctionPowerMOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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更多VBFB16R02供应商更新时间2024-6-14 15:00:00

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