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FTK8205	文件：1.14323 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GM8205	文件：310.74 Kbytes Page：3 Pages	DualN-channel20V,SOT-26MOSFET	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
GM8205A	文件：351.4 Kbytes Page：4 Pages	DualN-channel20V,TSSOP-8MOSFET	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.	GSME
VBZB8205A	文件：444.16 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WNMD8205	文件：3.22313 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel,20V,5.2A,PowerMOSFET	WILLSEMIShanghai Weier Semiconductor Co., Ltd 韦尔半导体上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WNMD8205A	文件：2.34002 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel,20V,5.7A,PowerMOSFET	WILLSEMIShanghai Weier Semiconductor Co., Ltd 韦尔半导体上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WSP8205	文件：1.03364 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807	WIINSOK
WST8205	文件：1.08147 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807	WIINSOK
WST8205A	文件：1.11035 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807	WIINSOK
YFW8205LI	文件：1.38921 Mbytes Page：5 Pages	20VNN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Powermanagement	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
YJS8205B	文件：577.47 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

产品属性

产品编号：
V82051510000G
制造商：
Amphenol Anytek
类别：
连接器，互连器件 > 针座、插头和插座
系列：
V8
包装：
散装
类型：
插头，公引脚
针位数：
20
每级针位数：
20
层级数：
1
间距：
0.200"（5.08mm）
插线入口：
180°
端接样式：
螺钉 - 片簧，电线护网
安装类型：
自由悬挂
线规或范围 - AWG：
12-24AWG
颜色：
绿色
工作温度：
-40°C ~ 115°C
触头配接表面处理：
锡
特性：
配接法兰
描述：
TERM BLOCK PLUG 20POS STR 5.08MM

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