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V12P8_V01	文件：105.76 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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V12P8_V01

文件：105.76 Kbytes

Page：5 Pages

High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -

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更多V12P8_V01供应商更新时间2024-6-14 16:16:00

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