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V10PL45-M3/86A中文资料PDF规格书

V10PL45-M3/86A
厂商型号

V10PL45-M3/86A

参数属性

V10PL45-M3/86A 封装/外壳为TO-277,3-PowerDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO277A

功能描述

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

608.91 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-7 20:17:00

V10PL45-M3/86A规格书详情

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Ideal for automated placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

  For use in low voltage high frequency DC/DC converters, freewheeling, and polarity protection applications.

 

产品属性

  • 产品编号:

    V10PL45-M3/86A

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    eSMP®, TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    6A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-277,3-PowerDFN

  • 供应商器件封装:

    TO-277A(SMPC)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO277A

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