选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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IXYS模块 |
1000 |
19+/20+ |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
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IXYSModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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浙江永芯科技有限公司4年
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IXYSNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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MODULE |
2100 |
16+ |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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34 |
23+ |
专业模块销售,欢迎咨询 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IXYS |
100 |
原装现货,价格优惠 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IXYS模块 |
30000 |
23+ |
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二极管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯模块 |
500 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯NA |
1120 |
22+ |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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IXYS模块 |
1000 |
21+ |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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IXYS/艾赛斯module |
9577 |
09+ |
只做原厂原装,认准宝芯创配单专家 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IXYSmodule |
6000 |
2018+ |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IXYS模块 |
30000 |
23+ |
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二极管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IXSYMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IXSYMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IXYSIGBT |
6 |
16+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IXYS/艾赛斯 |
580 |
1926+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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VUB120-16图片
VUB120-16NOX价格
VUB120-16NOX价格:¥393.1493品牌:Ixys
生产厂家品牌为Ixys的VUB120-16NOX多少钱,想知道VUB120-16NOX价格是多少?参考价:¥393.1493。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,VUB120-16NOX批发价格及采购报价,VUB120-16NOX销售排行榜及行情走势,VUB120-16NOX报价。
VUB120-16NOXT中文资料Alldatasheet PDF
更多VUB120-16NO1制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Three Phase Rectifier Bridge with IGBT and Fast Recovery Diode for Braking System
VUB120-16NO2功能描述:IGBT 模块 120 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
VUB120-16NOX功能描述:IGBT 模块 Standard Rectifier Bridge+Brake Unit RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
VUB120-16NOXT功能描述:IGBT 模块 Standard Rectifier Bridge+Brake Unit RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: