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US1J-E3/5AT

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Surface Mount Ultrafast Rectifier

FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Ultrafastreverserecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualified TY

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US1J-E3/61T

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FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Ultrafastreverserecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualified TY

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US1J-E3/5AT

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳：DO-214AC，SMA 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳：DO-214AC，SMA 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

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US1J-E3S/61T

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包装：卷带（TR） 封装/外壳：DO-214AC，SMA 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 600V

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GF1J-E3

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SurfaceMountGlassPassivatedRectifier

FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof250°C •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:F

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FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof250°C •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:F

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RGF1J-E3

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SurfaceMountGlassPassivatedJunctionFastSwitchingRectifier

FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Idealforautomatedplacement •Fastswitchingforhighefficiency •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof   250°C •AEC-Q101qualifiedavailable   -

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RS1J-E3

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SurfaceMountFastSwitchingRectifier

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产品属性

  • 产品编号：

    US1J-E3/5AT

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别：

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型：

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)：

    1A

  • 速度：

    快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 不同 Vr、F 时电容：

    10pF @ 4V，1MHz

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    DO-214AC，SMA

  • 供应商器件封装：

    DO-214AC（SMA）

  • 工作温度 - 结：

    -55°C ~ 150°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市硅宇电子有限公司
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