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UPG2012TB	文件：120.9 Kbytes Page：7 Pages	NECs 1/4W SINGLE CONTROL L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION TheµPG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishousedin	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2012TB	文件：266.93 Kbytes Page：8 Pages	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION ThePG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation.Thisdeviceishousedina	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPG2012TB	文件：325.3 Kbytes Page：11 Pages	GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2012TB-E3	文件：266.93 Kbytes Page：8 Pages	L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION ThePG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation.Thisdeviceishousedina	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPG2012TB-E3	文件：325.3 Kbytes Page：11 Pages	GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2012TB-E3	文件：120.9 Kbytes Page：7 Pages	NECs 1/4W SINGLE CONTROL L-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION TheµPG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishousedin	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2012TK	文件：309.88 Kbytes Page：11 Pages	GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2012TK	文件：306 Kbytes Page：7 Pages	NECs 쩌 W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION TheµPG2012TKisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishous	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2012TK-E2	文件：306 Kbytes Page：7 Pages	NECs 쩌 W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION TheµPG2012TKisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishous	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2012TK-E2	文件：309.88 Kbytes Page：11 Pages	GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2012TB	文件：72.47 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2012TB_1	文件：72.47 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2012TB-E3	文件：72.47 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2012TK	文件：109.58 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2012TK	文件：363.3 Kbytes Page：8 Pages	W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPG2012TK_1	文件：109.58 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2012TK-E2	文件：109.58 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2012TK-E2-A	文件：363.3 Kbytes Page：8 Pages	W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPG2012TB-E3-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关描述：IC RF SWITCH SPDT 2.5GHZ 6-SMINI	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPG2012TK-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：6-SMD，扁平引线类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关描述：IC RF SWITCH SPDT 2.5GHZ 6MINIM	CEL California Eastern Laboratories	CEL

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详细参数

型号：
UPG2012
功能描述：
RF 开关 IC RO 551-UPG2012TB-A
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
开关数量：
Single
开关配置：
SPDT
介入损耗：
0.6 dB
截止隔离（典型值）：
43 dB
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PQFN-16
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	UPG2012TB	RENESAS/瑞萨		SOT363	7906200		询价
深圳兆威电子有限公司	UPG2012TB	RENESAS	23+	SOT-363	63000	原装正品现货	询价
深圳市华睿芯科技有限公司	UPG2012TB	NEC	23+	SOT363	20000	原厂原装正品现货	询价
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更多UPG2012供应商更新时间2024-6-3 19:03:00

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