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UPG2009TB	文件：134.62 Kbytes Page：8 Pages	NECs L, S-BAND 4W SPDT SWITCH DESCRIPTION TheµPG2009TBisanL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)GaAsFETswitchwhichwasdevelopedfordigitalcellularorcordlesstelephoneapplication.Thedevicecanoperatefrom500MHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolationby2.8Vcontrolvoltage. FEATURES	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2009TB	文件：547 Kbytes Page：9 Pages	L, S-Band HIGH POWER SPDT SWITCH DESCRIPTION NECsUPG2009TBisaL,S-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)GaAsFETswitchfordigitalcellularorcordlesstelephoneapplication.Thedevicecanoperatefrom500MHzto2.5GHz,withlowinsertionlossandhighisolation. FEATURES •LOWINSERTIONLOSS: 0.25dBTYP.@Vcont1	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPG2009TB	文件：207.87 Kbytes Page：12 Pages	GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Lowinsertionloss:LINS=0.25dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=1.0GHz LINS=0.30dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=2.0GHz •Highisolation:ISL=28dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=2.0GHz •Highpower:Pin(0.1dB)=34dBmTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=1.0GHz	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2009TB	文件：86.16 Kbytes Page：10 Pages	L-BAND HIGH POWER SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2009TB-E3	文件：134.62 Kbytes Page：8 Pages	NECs L, S-BAND 4W SPDT SWITCH DESCRIPTION TheµPG2009TBisanL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)GaAsFETswitchwhichwasdevelopedfordigitalcellularorcordlesstelephoneapplication.Thedevicecanoperatefrom500MHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolationby2.8Vcontrolvoltage. FEATURES	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2009TB-E3	文件：207.87 Kbytes Page：12 Pages	GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES •Lowinsertionloss:LINS=0.25dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=1.0GHz LINS=0.30dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=2.0GHz •Highisolation:ISL=28dBTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=2.0GHz •Highpower:Pin(0.1dB)=34dBmTYP.@Vcont1/2=2.8V/0V,f=1.0GHz	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2009TB-E3-A	文件：547 Kbytes Page：9 Pages	L, S-Band HIGH POWER SPDT SWITCH DESCRIPTION NECsUPG2009TBisaL,S-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)GaAsFETswitchfordigitalcellularorcordlesstelephoneapplication.Thedevicecanoperatefrom500MHzto2.5GHz,withlowinsertionlossandhighisolation. FEATURES •LOWINSERTIONLOSS: 0.25dBTYP.@Vcont1	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPG2009TB_09	文件：1.28809 Mbytes Page：9 Pages	L-BAND HIGH POWER SPDT SWITCH	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPG2009TB_1	文件：86.16 Kbytes Page：10 Pages	L-BAND HIGH POWER SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2009TB-E3	文件：86.16 Kbytes Page：10 Pages	L-BAND HIGH POWER SPDT SWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPG2009TB-E3-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频开关描述：IC RF SWITCH SPDT 2.5GHZ 6-SMINI	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPG2009TB-EVAL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD FOR UPG2009TB	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPG2009TB-EVAL-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD FOR UPG2009TB	CEL California Eastern Laboratories	CEL
2009B	文件：3.95053 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURE zTrenchFETPowerMOSFET zExcellentRDS(on) zLowGateCharge zHighPowerandCurrentHandingCapability zSurfaceMountPackage APPLICATION zBatteryProtection zLoadSwitch zPowerManagement	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
2009DHI	文件：260.26 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingDiffusedCollectortechnologyformorestableoperationVsbasedrivecircuitvariationsresultinginverylowworstcasedissipation. ■NEWSERIES,ENHANCEDPERFORMANCE ■FULLYINSULATEDPACKAGE(U.L.COMPLIANT)FOREASYMOUNTING ■INTEGRATEDFREE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
ABV2009	文件：93.36 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2009OC	文件：93.36 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2009OC-T	文件：93.36 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2009QC	文件：93.36 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON
ABV2009QC-T	文件：93.36 Kbytes Page：8 Pages	LowPhaseNoiseVCXOwithmultipliers(for100-200MHzFundXtal)	ABRACONAbracon Corporation 阿布雷肯	ABRACON

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详细参数

型号：
UPG2009TB
功能描述：
RF 开关 IC L S Band SPDT Switch
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
开关数量：
Single
开关配置：
SPDT
介入损耗：
0.6 dB
截止隔离（典型值）：
43 dB
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PQFN-16
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	UPG2009TB	RENESAS/瑞萨		SOT363	7906200		询价
深圳市博浩通科技有限公司	UPG2009TB	NEC	23+	SC70-6	24000	全新原装正品	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	UPG2009TB	原厂正品	23+	SOT363	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳兆威电子有限公司	UPG2009TB	RENESAS	23+	SOT-363	63000	原装正品现货	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	UPG2009TB	NEC	2020+	SOT363	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市富安睿科技有限公司	UPG2009TB	NEC	21+	SOT-363	6000	绝对原裝现货	询价
上海市鑫鸿达电子	UPG2009TB	TOSHIBA/东芝	2022+		500	全新原装货期两周	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	UPG2009TB	CEL	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	UPG2009TB	NEC	21+	QR	20	原装现货假一赔十	询价
深圳市振芯物联科技有限公司	UPG2009TB	NEC	22+	QR	32350	原装正品假一罚十公司现货	询价

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详细参数

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