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AM-153PIN	文件：64.349 Kbytes Page：2 Pages	LowNoiseAmplifier,12dBGain,300-1800MHz	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
ANCC-153A	文件：251.28 Kbytes Page：2 Pages	PCSandWLANOmniAntennas Description M/A-COM’sOmniantennasareverticallypolarizedcollineararraysutilizingapatentedprintedcircuittechnologyfortheradiatingelements.TheseruggedantennasarehousedinUVstableultrasonicallybondedpolycarbonateradomes.Installationiseasyduetothesmallfootprint,mou	MACOM Tyco Electronics	MACOM
APCRBC153	文件：90.52 Kbytes Page：2 Pages	APCReplacementbatterycartridge#153	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
ASF153	文件：587.23 Kbytes Page：11 Pages	3VIFGainBlockAmplifierMMICoverDC~1000MHz	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ASF153	文件：588.69 Kbytes Page：11 Pages	GainBlockAmplfierMMICoverDC~1000MHz	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ASJ153	文件：156.79 Kbytes Page：1 Pages	2.6mm&3.5mmAUDIOJACKSSTEREO&MONOEARPHONEJACKS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
ASJ153A	文件：156.79 Kbytes Page：1 Pages	2.6mm&3.5mmAUDIOJACKSSTEREO&MONOEARPHONEJACKS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
ATP153SM	文件：118.43 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountQuartzCrystal	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
ATP153SM	文件：157.86 Kbytes Page：2 Pages	StandardCrystals SurfaceMountQuartzCrystal DESCRIPTION TheATP-SMcrystalseriesoffersexcellentlongtermstabilityandreliabilityinaprovenplasticmoldedpackage.Theexcellentshockperformancemakesitsuitablefortoday’smicroprocessor,communication,consumerelectronicandnetworkingapplications.	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
BB153	文件：53.26 Kbytes Page：8 Pages	VHFvariablecapacitancediode DESCRIPTION TheBB153isaplanartechnologyvariablecapacitancediode,inaSOD323verysmallplasticSMDpackage.Theexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandadirectmatchingassemblyprocedure. FEATURES •Excellentlinearity •Excellentmatchingto2DMA •Very	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB153	文件：96.22 Kbytes Page：8 Pages	VHFvariablecapacitancediode Generaldescription TheBB153isavariablecapacitancediode,fabricatedinplanartechnologyandencapsulatedintheSOD323(SC-76)verysmallSMDplasticpackage. TheexcellentmatchingperformanceisachievedbyglidingmatchingandaDirectMatchingAssembly(DMA)procedure. Featuresandb	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BB153	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC153	文件：137.72 Kbytes Page：3 Pages	SILIGONPLANARPNP	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BCR153	文件：197.06 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR153	文件：125.33 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR153F	文件：125.33 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR153F	文件：197.06 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR153T	文件：197.06 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR153U	文件：197.06 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinresistor(R1=2.2kΩ,R2=2.2kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BH153	文件：126.61 Kbytes Page：1 Pages	BATTERYHOLDERS&SNAPSAA,AAA,C,D&COINCELL	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH

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详细参数

型号：
UPG153TB
功能描述：
RF 开关 IC USE 551-UPG2179TB-A
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
开关数量：
Single
开关配置：
SPDT
介入损耗：
0.6 dB
截止隔离（典型值）：
43 dB
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PQFN-16
封装：
Reel

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