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UPD48288218FF-EF25-DW1-A	文件：862.5 Kbytes Page：50 Pages	288M-BIT Low Latency DRAM Common I/O Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentialinputclocks(CKandCK#) •Differentialin	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPD48288218FF-EF25-DW1-A

文件：862.5 Kbytes

Page：50 Pages

288M-BIT Low Latency DRAM Common I/O

Features •SRAM-typeinterface •Double-data-ratearchitecture •PLLcircuitry •Cycletime:2.5ns@tRC=20ns 3.3ns@tRC=20ns •Non-multiplexedaddresses •Multiplexingoptionisavailable. •DatamaskforWRITEcommands •Differentialinputclocks(CKandCK#) •Differentialin

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