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UPD46365184BF1-E40Y-EQ1-A

36M-BIT QDRTM II SRAM 4-WORD BURST OPERATION

Features •1.8±0.1Vpowersupply •165-pinPLASTICBGA(13x15) •HSTLinterface •PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling •Separateindependentreadandwritedataportswithconcurrenttransactions •100busutilizationDDRREADandWRITEoperation

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

PD46365184BF1-E40Y-EQ1

36M-BITQDRTMIISRAM4-WORDBURSTOPERATION

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