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UPD43256BGU-B10-A

MOS INTEGRATED CIRCUIT

Features •32,768wordsby8bitsorganization •Fastaccesstime:70,85,100,120ns(MAX.) •Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) •LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) •/OEinputforeasyapplication

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256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT

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256K-BITCMOSSTATICRAM32K-WORDBY8-BIT

[NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE

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