选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
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NECSOT363 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司11年
留言
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NECSot-363 |
52628 |
20+ |
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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NECSOT-363 |
4897 |
22+ |
绝对原装!现货热卖! |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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RENESASSOT-363 |
63000 |
23+ |
原装正品现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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NECSOT363 |
50000 |
21+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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NECSOT-363 |
880000 |
97+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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NECSSOP |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优惠 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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NECSOT363 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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NECSOT363 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85200 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NECTO23-6 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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NECSot-363 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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NECSOP23 |
15000 |
23+ |
全新原装现货假一赔十 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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NECSOP23 |
2990 |
22+ |
只做原装,支持实单,来电咨询。 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司11年
留言
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NEC |
52628 |
20+ |
原厂VIP渠道,亚太地区一级代理商,可提供更多数量! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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NECSOT-363 |
5520 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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RENESAS/瑞萨SOT-23 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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NECSOT-363 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
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NEC |
9750 |
43937+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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NECSOT-363 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
UPA801采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
UPA801图片
UPA801T-T1-A价格
UPA801T-T1-A价格:¥4.7087品牌:CEL
生产厂家品牌为CEL的UPA801T-T1-A多少钱,想知道UPA801T-T1-A价格是多少?参考价:¥4.7087。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,UPA801T-T1-A批发价格及采购报价,UPA801T-T1-A销售排行榜及行情走势,UPA801T-T1-A报价。
UPA801T-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA801制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA801T功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
UPA801T-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
UPA801TF制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA801TF-T1制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:BJT
UPA801T-T1功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
UPA801T-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel