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UPA1951TE	文件：73.95 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION TheµPA1951isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya1.8Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •1.8Vdri	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA1951TE	文件：208.81 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1951isaswitchingdevice,whichcanbedriven directlybya1.8Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplications suchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •1.8V	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1951TE	文件：525.3 Kbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableApplications •BatterySwitchforPortableDevices •Computers -BusSwitch -LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
1951	文件：311.06 Kbytes Page：1 Pages	MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
1951A	文件：28.87 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerMicrowaveMESFET DESCRIPTION TheMGF1951Aisa20mWMESFETforS-toKu-banddriveramplifiersandoscillators. Itslead-lessceramicpackageassuresminimumparasitics. FEATURES •HighGainandHighOutputPowerGLP=9dB,P1dB=13dBm(typ)@f=12GHz •LeadlessCeramicPackage APPLICATION S-	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
ACK-1951	文件：89.36 Kbytes Page：1 Pages	LEDMODIFIEDDISPLAYANDDRIVERKIT	ACIPOWER Applied Concepts Inc.	ACIPOWER
ALN1951	文件：365.76 Kbytes Page：4 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ALN1951	文件：542.85 Kbytes Page：4 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ALN1951BT	文件：361.88 Kbytes Page：4 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
ALN1951BT	文件：604.95 Kbytes Page：4 Pages	InternallyMatchedLNAModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
B1951UYG	文件：1.01898 Mbytes Page：14 Pages	TopViewChipLED	HarvatekHarvatek 宏齐科技股份有限公司宏齐	Harvatek
CXA1951AQ	文件：364.66 Kbytes Page：16 Pages	GPSDownConverter Description TheCXA1951AQisanICdevelopedasaGPSdownconverter,featuringlowcurrentconsumptionandsmallpackage.ThisICissuitableforthemobileGPS(GlobalPositioningSystem). Features •IncludesallfunctionsrequiredfortheGPSconverter •Totalgain:100dBormore •Operat	SonySONY 索尼	Sony
CXA1951Q	文件：189.87 Kbytes Page：6 Pages	GPSDownConverter Description TheCXA1951QisanICdevelopedasaGPSdownconverter,featuringlowcurrentconsumptionandsmallpackage.ThisICissuitableforthemobileGPS(GlobalPositioningSystem). Features •IncludesallfunctionsrequiredfortheGPSconverter. •Totalgain:110dBormore •Op	SonySONY 索尼	Sony
DS1951	文件：541.75 Kbytes Page：2 Pages	FWSeriesDigitalFlowIndicator	TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
EPA1951	文件：52.3 Kbytes Page：1 Pages	10Base-TInterfaceModule	PCA PCA Electronics, Inc.	PCA
EPA1951G	文件：52.3 Kbytes Page：1 Pages	10Base-TInterfaceModule	PCA PCA Electronics, Inc.	PCA
F1951	文件：2.45306 Mbytes Page：20 Pages	SpuriousFreeDesignAttenuationError0.3dB@2GHz	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1951	文件：2.52973 Mbytes Page：23 Pages	Serialand6bitParallelInterface	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1951	文件：2.3819 Mbytes Page：17 Pages	6-bit0.5dBDigitalStepAttenuator	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
F1951	文件：1.68992 Mbytes Page：20 Pages	6-bit0.5dBDigitalStepAttenuator	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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详细参数

型号：
UPA1951TE
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

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