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UMZ1NT1G

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

Features •HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA •HighhFE:hFE=200400 •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:3A −MachineModel:C •Pb−FreePackageisAvailable

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UMZ1NT1G

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor PNPandNPNSurfaceMount Features •HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA •HighhFE:hFE=200~400 •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:3A ESDRating−MachineModel:C •NSVPrefixf

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UMZ1NT1G

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

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UMZ1NT1G_16

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

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NSVUMZ1NT1G

ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor

ONSEMION Semiconductor

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UMZ1NT1

ComplementaryDualGeneralPurposeAmplifierTransistor

Features •HighVoltageandHighCurrent:VCEO=50V,IC=200mA •HighhFE:hFE=200400 •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:3A −MachineModel:C •Pb−FreePackageisAvailable

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详细参数

  • 型号:

    UMZ1NT1G

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
2015+
200
公司现货库存
询价
2015+
200
公司现货库存
询价
onsemi
23+
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
onsemi(安森美)
23+
SC-88
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
ON/安森美
21+
NA
3922
只做原装,假一罚十
询价
ON/安森美
20+
SOT-363
120000
原装正品 可含税交易
询价
ON/安森美
SOT363
7906200
询价
ON
11+
SOT-363
8000
全新原装,绝对正品现货供应
询价
ONS
3000
询价
ON
11+
5325
询价
更多UMZ1NT1G供应商 更新时间2024-4-29 11:08:00