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BD233	文件：283.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •PowerDissipation:PCM=1.25W,Ta=25°C •CollectorCurrent:IC=2A •ComplementtoBD234/236/238respectively •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Epoxy	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BD233	文件：285.3 Kbytes Page：3 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD233	文件：130.06 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD233	文件：1.17188 Mbytes Page：2 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BD233	文件：193.51 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min)@lc=0.15A •ComplementtoTypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Designedforusein5-10wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD233	文件：125.97 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BD233	文件：102.42 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD233	文件：58.18 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1.25W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:BD233:45VBD235:60VBD237:100V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ:150℃Tstg:-65℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BD233	文件：180.88 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistors NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BD233	文件：100.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD233	文件：38.83 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications MediumPowerLinearandSwitchingApplications •ComplementtoBD234/236/238respectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD233	文件：1.9422 Mbytes Page：14 Pages	GERMANIOVETRANZISTORY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD233	文件：2.48834 Mbytes Page：5 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementtoBD234/BD236/BD238respectively	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD233NPN	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearSwitchingApplications	CDIL CDIL	CDIL
BD233-TU	文件：2.48834 Mbytes Page：5 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementtoBD234/BD236/BD238respectively	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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BPT-HP233	文件：551.05 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTPHOTOTRANSISTORS	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
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产品属性

产品编号：
UHV-233A
制造商：
TDK Corporation
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
UHV
包装：
散装
容差：
±10%
电压 - 额定：
30000V（30kV）
温度系数：
Z5T
工作温度：
-30°C ~ 85°C
特性：
高电压，低耗散因子
应用：
通用
安装类型：
需要支座
封装/外壳：
圆盘形，金属配接件 - 有螺纹
大小 / 尺寸：
1.339" 直径 x 1.024" 长（34.00mm x 26.00mm）
描述：
CAP CER 700PF 30KV Z5T DISK

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