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448	文件：110.65 Kbytes Page：4 Pages	Linearmotion0.2wattcompositionslidecontrol	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
448	文件：204.23 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
448IRF	文件：168.7 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.60ohm,Id=11A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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AOD448	文件：318.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD448L	文件：127.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI448	文件：331.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI448	文件：994.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU448	文件：994.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU448	文件：352.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU448	文件：72.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU448L	文件：72.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP448	文件：175.78 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
ARF448	文件：57.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF448AandARF448BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. Specified150Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=1	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	UFE448-ES	PMC	2017+	BGA	21458	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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更多UFE448-ES供应商更新时间2024-5-17 16:57:00

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