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UF5N15Z	文件：146.57 Kbytes Page：3 Pages	5A, 150V N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UF5N15ZG-TN3-R	文件：146.57 Kbytes Page：3 Pages	5A, 150V N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UF5N15ZG-TN3-T	文件：146.57 Kbytes Page：3 Pages	5A, 150V N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UF5N15ZL-TN3-R	文件：146.57 Kbytes Page：3 Pages	5A, 150V N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UF5N15ZL-TN3-R	文件：1.15019 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
UF5N15ZL-TN3-T	文件：146.57 Kbytes Page：3 Pages	5A, 150V N-CHANNEL POWER MOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
UF5N15ZL-TN3-T	文件：1.00458 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
EMBB5N15A	文件：197.85 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS150V RDSON(MAX.)250mΩ ID5A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司
FQB5N15	文件：765.37 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features •4.5A,500V,RDS(on)=1.8Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical13nC) •LowCrss(typical8.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD5N15	文件：304.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQD5N15	文件：750.2 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD5N15	文件：846.6 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET150V,4.3A,800m廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD5N15TM	文件：846.6 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET150V,4.3A,800m廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI5N15	文件：765.37 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features •4.5A,500V,RDS(on)=1.8Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical13nC) •LowCrss(typical8.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP5N15	文件：717.93 Kbytes Page：8 Pages	150VN-CHANNELMOSFET 150VN-CHANNELMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF5N15	文件：748.45 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQU5N15	文件：750.2 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQU5N15	文件：329.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
KSMU5N15	文件：1.36945 Mbytes Page：8 Pages	150VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
SSM5N15FE	文件：150.04 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplicationsAnalogSwitchApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UF5N15Z供应商更新时间2024-4-28 15:30:00

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