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T1722HO	文件：147.6 Kbytes Page：2 Pages	1700&1750ToggleSwitches16A250VacSingleandDoublePole	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
T1722RO	文件：147.6 Kbytes Page：2 Pages	1700&1750ToggleSwitches16A250VacSingleandDoublePole	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
TD1722	文件：887.44 Kbytes Page：19 Pages	SingleBuckVoltageModePWMController	TECHCODETECHCODE 泰德美国泰德半导体有限公司	TECHCODE
TM1722	文件：454.25 Kbytes Page：16 Pages	LCDDrivercontrolcircuit	PTHShenzhen Putianhe Technology Co., Ltd 普天和深圳市普天和科技公司	PTH
TRS1722	文件：129.039 Kbytes Page：10 Pages	HIGHSENSITIVITYREFLECTIVECOLORSENSORWITHLIGHTTOVOLTAGECONVERTERS	TAOSTEXAS ADVANCED OPTOELECTRONIC SOLUTIONS TEXAS ADVANCED OPTOELECTRONIC SOLUTIONS	TAOS
TW1722	文件：209.61 Kbytes Page：2 Pages	DualFeedEmbeddedBeiDou/Galileo/GPS/GLONASSAntenna	TALLYSMANTallysman Wireless Inc. Tallysman wireless inc.	TALLYSMAN
UDZSTE-1722B	文件：158.19 Kbytes Page：5 Pages	Zenerdiode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UP1722P	文件：225.92 Kbytes Page：15 Pages	1.5MHz,1.3A,High-EfficiencySynchronous-RectifiedBuckConverter	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UPA1722	文件：65.94 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1722isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=29.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4.5A)	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA1722	文件：229.09 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=29.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4.5A) RDS(on)3=32.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=980pFTYP. •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP8)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1722G	文件：229.09 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=29.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4.5A) RDS(on)3=32.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=980pFTYP. •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP8)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1722G	文件：65.94 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1722isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=21.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=29.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4.5A)	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

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