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UDZS33B	文件：159.32 Kbytes Page：5 Pages	Zener diode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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UDZS33B	文件：134.58 Kbytes Page：5 Pages	Zener diode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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UDZS33B	文件：134.15 Kbytes Page：5 Pages	Zener diode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UDZS33B	文件：219.73 Kbytes Page：5 Pages	Zener diode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UDZS33B	文件：158.19 Kbytes Page：5 Pages	Zener diode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UDZS33B_07	文件：134.45 Kbytes Page：5 Pages	Zener diode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UDZS33B_12	文件：221.47 Kbytes Page：5 Pages	Zener diode	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UDZS33B R9G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SC-90，SOD-323F 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 33V 200MW SOD323F	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
UDZS33B RRG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SC-90，SOD-323F 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 33V 200MW SOD323F	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation

详细参数

型号：
UDZS33B
功能描述：
稳压二极管 33 Volt 200mW 5%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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