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UCC27200DRMR	文件：927.34 Kbytes Page：31 Pages	120-V Boot, 3-A Peak, High Frequency, High-Side/Low-Side Driver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UCC27200DRMR	文件：1.7192 Mbytes Page：37 Pages	120V Boot, 3A Peak, High Frequency, High-Side and Low-Side Driver	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
UCC27200DRMR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VSON	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ27200	文件：366.58 Kbytes Page：29 Pages	SINGLECELLLi-IonANDLi-PolBATTERYGASGAUGEICFORPORTABLEAPPLICATIONS(bqJUNIOR)	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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BQ27200DRKR	文件：695.8 Kbytes Page：33 Pages	SINGLECELLLi-IonANDLi-PolBATTERYGASGAUGEICFORPORTABLEAPPLICATIONS(bqJUNIOR)	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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BQ27200DRKR	文件：557.23 Kbytes Page：31 Pages	SINGLECELLLi-IonANDLi-PolBATTERYGASGAUGEICFORPORTABLEAPPLICATIONS(bqJUNIOR)	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
bq27200DRKR	文件：807.23 Kbytes Page：33 Pages	SINGLECELLLi-IonANDLi-PolBATTERYGASGAUGEICFORPORTABLEAPPLICATIONS(bqJUNIOR)	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
BYV27200	文件：74.79 Kbytes Page：2 Pages	2.0ASUPER-FASTGLASSBODYRECTIFIER Features •HermeticallySealedGlassBodyConstruction •ControlledAvalancheCharacteristics •Super-FastSwitchingforHighEfficiency •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto50APeak •LowReverseLeakageCurrent	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
CGHV27200	文件：696.2 Kbytes Page：11 Pages	200W,2500-2700MHz,GaNHEMTforLTE	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGHV27200-AMP	文件：1.16049 Mbytes Page：12 Pages	200W,2500-2700MHz,GaNHEMTforLTE	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGHV27200F	文件：1.16049 Mbytes Page：12 Pages	200W,2500-2700MHz,GaNHEMTforLTE	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGHV27200P	文件：1.16049 Mbytes Page：12 Pages	200W,2500-2700MHz,GaNHEMTforLTE	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
CGHV27200-TB	文件：1.16049 Mbytes Page：12 Pages	200W,2500-2700MHz,GaNHEMTforLTE	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商	Cree
NE27200	文件：199.18 Kbytes Page：10 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION NE32500andNE27200areHeteroJunctionFETchipthatutilizestheheterojunctionbetweenSi-dopedAlGaAs andundopedInGaAstocreatehighmobilityelectrons.Itsexcellentlownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitable forcommercialsystems,industrialandspaceapplication	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NE27200	文件：39.82 Kbytes Page：8 Pages	CtoKaBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FETCHIP DESCRIPTION NE32500andNE27200areHeteroJunctionFETchipthatutilizestheheterojunctionbetweenSi-dopedAlGaAsandundopedInGaAstocreatehighmobilityelectrons.Itsexcellentlownoiseandhighassociatedgainmakeitsuitableforcommercialsystems,industrialandspaceapplications.	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
PM-DB27200	文件：214.66 Kbytes Page：11 Pages	DATABUSINTERFACETRANSFORMERSLOWPROFILESINGLE/DUAL	PMI Premier Magnetics, Inc.	PMI
UCC27200	文件：922.73 Kbytes Page：28 Pages	120-VBoot,3-APeak,HighFrequency,High-Side/Low-SideDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UCC27200	文件：927.34 Kbytes Page：31 Pages	120-VBoot,3-APeak,HighFrequency,High-Side/Low-SideDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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产品属性

产品编号：
UCC27200DRMR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 17V
逻辑电压 - VIL，VIH：
3V，8V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，3A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
8ns，7ns
工作温度：
-40°C ~ 140°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-VSON（4x4）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VSON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UCC27200DRMR供应商更新时间2024-4-30 14:16:00

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