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FCX1053A	文件：52.49 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPowerSwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●10Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto10Amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.21mvTyp. ●Extremelylowequivalenton-resistance.RCE(sat)78mΩat4.5A.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FCX1053A	文件：427.78 Kbytes Page：6 Pages	SOT89NPNmediumpowertransistor Features •BVCEO>75V •IC=3AhighContinuousCurrent •ICM=10APeakPulseCurrent •HighGainHoldsuphFE>300@IC=1A •LowEquivalentOn-Resistance;RCE(sat)=78mΩat4.5A •ExcellenthFEcharacteristicsupto10A •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FCX1053ATA	文件：427.78 Kbytes Page：6 Pages	SOT89NPNmediumpowertransistor Features •BVCEO>75V •IC=3AhighContinuousCurrent •ICM=10APeakPulseCurrent •HighGainHoldsuphFE>300@IC=1A •LowEquivalentOn-Resistance;RCE(sat)=78mΩat4.5A •ExcellenthFEcharacteristicsupto10A •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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FZT1053	文件：63.71 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR SOT223NPNSILICONPLANAR MEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR FEATURES VCEO=75V 4.5AmpContinuousCurrent 10AmpPulseCurrent LowSaturationVoltage HighGain ExtremelyLowEquivalentOn-resistance;RCE(sat)=78mΩat4.5A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT1053A	文件：63.71 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR SOT223NPNSILICONPLANAR MEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR FEATURES VCEO=75V 4.5AmpContinuousCurrent 10AmpPulseCurrent LowSaturationVoltage HighGain ExtremelyLowEquivalentOn-resistance;RCE(sat)=78mΩat4.5A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT1053A	文件：73.3 Kbytes Page：4 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERHIGHGAINTRANSISTOR FeaturesandBenefits •BVCEO>75V •MaximumcontinuouscurrentIC=4.5A •10Apulsecurrent •HighgainholdsuphFE>300@IC=1A •Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=78mΩat4.5A •“Green”component,LeadFreeFinish/RoHScompliant(Note1) •QualifiedtoAEC-Q101Standards	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
FZT1053A	文件：38.44 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarMediumPowerHighGainTransistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=4.5A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=75V ●LowSaturationVoltage	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT1053ATA	文件：209.55 Kbytes Page：5 Pages	75VNPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTORINSOT-223 FeaturesandBenefits •BVCEO>75V •MaximumcontinuouscurrentIC=4.5A •10Apulsecurrent •HighgainholdsuphFE>300@IC=1A •Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=78mΩat4.5A •“Green”component,LeadFreeFinish/RoHScompliant(Note1) •QualifiedtoAEC-Q101Standards	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
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更多UB1053A供应商更新时间2024-5-20 16:00:00

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