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BT730	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BT730	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SA	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BT730-SA	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT730-SC	文件：353.26 Kbytes Page：3 Pages	Class1Bluetoothv2.0Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BT730-SC	文件：1.65793 Mbytes Page：31 Pages	modulefromLairdTechnologiesisdesignedtoaddrobust,long-rangeBluetoothdataconnectivitytoanydevice	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BTS730	文件：187.57 Kbytes Page：10 Pages	SmartHigh-SidePowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BTS730	文件：49.97 Kbytes Page：7 Pages	PWMPowerUnit(Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads.) PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. •Highsideswitch •Overtemperaturprotection •Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown •Loaddumpprotection •Undervoltageandovervoltageshutdown	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BTS730	文件：135.82 Kbytes Page：7 Pages	PWMPowerUnit PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ●Highsideswitch(Bootstrap) ●Overtemperaturprotection ●Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown ●Loaddumpprotection ●Undervoltageandovervolta	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
CEB730G	文件：419.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEB730G	文件：658.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED730G	文件：613.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 400V,5A,RDS(ON)=1W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED730G	文件：414.34 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEF730G	文件：419.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
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CEU730G	文件：414.34 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU730G	文件：613.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 400V,5A,RDS(ON)=1W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CLRD730	文件：3.76606 Mbytes Page：35 Pages	PegodaSmartCardReaderbasedonPN7642 1Generaldescription ThePegodaCLRD730desktopreaderisareferencedesignandevaluationreaderforcontactlessapplicationsbasedonMIFARE,NTAG,andICODEproductsaswellasNFC-enabledmobilephones.Thereaderisbuiltbasedonacontroller-basedNFCreaderIC,namedPN7642withapower	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科恒伟业电子有限公司	UA730HC	FAIRCHILD/仙童	22+	CAN8(	6521	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	UA730HC		21+		200	原装现货假一赔十	询价
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更多UA730HC供应商更新时间2024-5-14 10:49:00

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