选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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NECSOT363 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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NECSOT363 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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NECSOT363 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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NECSOT363 |
20000 |
17+ |
只做原装,优势渠道,可开增值税票 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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NECSOT363 |
60000 |
22+ |
原装正品优势供应支持实单 |
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深圳市创芯联盈电子有限公司6年
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NECSOT363 |
27000 |
1936 |
专营NEC,原厂代理渠道,长期排单! |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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NECSOT363 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
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RENESASSOD363 |
30000000 |
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原装进口中国百强元器件分销企业 专注RENESAS十年 公司大量RENESAS现货 欢迎您的咨询 百年不变 服务至上 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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NECSOT363 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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NECSOT363 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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NECSOT-6 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NECSOT-363 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
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NECSOT-363 |
69680 |
20+ |
全新原装热卖 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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NECSOT-363 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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CEL原厂原封 |
1000 |
17+ |
原装正品 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
留言
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NEC |
98000 |
SOT363 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨NA/ |
4920 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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NEC10089 |
2478 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳硅原半导体有限公司7年
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NECSOT363 |
28533 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十! |
UPA810采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
UPA810图片
UPA810T-T1-A价格
UPA810T-T1-A价格:¥3.7670品牌:CEL
生产厂家品牌为CEL的UPA810T-T1-A多少钱,想知道UPA810T-T1-A价格是多少?参考价:¥3.7670。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,UPA810T-T1-A批发价格及采购报价,UPA810T-T1-A销售排行榜及行情走势,UPA810T-T1-A报价。
UPA810T-T1超小型管中文资料Alldatasheet PDF
更多UPA810制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA810T功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
UPA810T-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
UPA810TC制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA810TC-T1制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 6-Pin Case TC T/R
UPA810TF制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA810TF-T1制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:BJT
UPA810T-T1功能描述:TRANS NPN HF FT=4.5GHZ SOT-363 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT) 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电压 - 集电极发射极击穿(最大):4.7V 频率 - 转换:47GHz 噪声系数(dB典型值@频率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益(hFE):160 @ 25mA,3V 电流 - 集电极(Ic)(最大):45mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商设备封装:4-TSFP 包装:Digi-Reel® 其它名称:BFP 740FESD E6327DKR
UPA810T-T1-A功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel